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ST(意法半导体)

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  • ST 场效应管 STF7NM60N

ST 场效应管 STF7NM60N

类别:ST(意法半导体)

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  • 产品介绍
  • 产品参数
品牌
ST
批号
18+
封装
TO-220-3
数量
1800
制造商
STMicroelectronics
产品种类
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
商标名
MDmesh
封装
Tube
配置
Single
系列
STF7NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
类型
Power MOSFET
型号
STF7NM60N

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